SI3900DV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI3900DV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI3900DV-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 2.4A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 2A Drain Source Voltage Vds: 20V Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: 2 N-Channel (Dual) Gate Charge (qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V ID_COMPONENTS: 2661390 Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 125mohm Package / Case: 6-TSOP (0.063", 1.60mm Width) Power - Max: 830mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5V Transistor Polarity: N Channel Vgs(th) (max) @ Id: 1.5V @ 250?µA Other Names: SI3900DV-T1-GE3TR
• Количество страниц
  9 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3900DV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 194,82 KB